Les ASFET constituent une nouvelle classe de MOSFET optimisés pour des applications spécifiques. En privilégiant les paramètres critiques, parfois au détriment d'autres paramètres moins importants, on obtient des performances inédites. Ces nouveaux ASFET remplaçables à chaud combinent la technologie silicium de pointe de Nexperia et un boîtier à clips en cuivre pour accroître significativement la zone de fonctionnement sécurisée (SOA) et minimiser l'encombrement sur le circuit imprimé.
Auparavant, les MOSFET souffraient de l'effet Spirito, caractérisé par une chute rapide des performances SOA due à l'instabilité thermique à haute tension. La technologie SOA améliorée de Nexperia élimine cet effet Spirito, augmentant ainsi les performances SOA de 166 % à 50 V par rapport aux générations précédentes de transistors D2PAK.
Une autre avancée majeure réside dans l'intégration de la spécification SOA à 125 °C dans la fiche technique. Selon Mike Becker, directeur international du marketing produit chez Nexperia : « Traditionnellement, la SOA n'est spécifiée qu'à 25 °C, ce qui oblige les concepteurs à réduire la consommation d'énergie pour un fonctionnement en environnement chaud. Nos nouveaux transistors ASFET à échange à chaud intègrent une spécification SOA à 125 °C, éliminant ainsi cette étape fastidieuse et confirmant les excellentes performances de Nexperia, même à haute température. »
Les nouveaux transistors ASFET remplaçables à chaud PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) et PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) sont encapsulés dans le boîtier LFPAK56E conforme à la norme Power-SO8. La conception unique de ce boîtier, avec ses brides internes en cuivre, améliore les performances thermiques et électriques tout en réduisant considérablement l'encombrement. Les nouveaux produits LFPAK56E mesurent seulement 5 mm × 6 mm × 1,1 mm, soit une réduction de 80 % de l'encombrement sur circuit imprimé et de 75 % de la hauteur du composant par rapport aux D2PAK de génération précédente. Ces composants présentent également une température de jonction maximale de 175 °C, conforme à la norme IPC 9592 pour les applications industrielles et de télécommunications.
Becker ajoute : « Un autre avantage réside dans une meilleure répartition du courant dans les applications haute puissance nécessitant plusieurs MOSFET remplaçables à chaud en parallèle, ce qui améliore la fiabilité et réduit le coût du système. » Nexperia est largement reconnu comme le leader du marché des MOSFET remplaçables à chaud. Avec ces nouveaux ASFET, nous avons une fois de plus placé la barre plus haut.
Les nouveaux transistors ASFET à échange à chaud sont les derniers dispositifs fabriqués dans la nouvelle usine de production de plaquettes de 8 pouces de Nexperia à Manchester, au Royaume-Uni, dont la capacité est prête pour les commandes en volume.
Plus d'informations, y compris les spécifications du produit et les fiches techniques
Vous pourrez également voir cette nouvelle technologie en action lors de l'événement Power Live de Nexperia, qui se tiendra du 21 au 23 septembre.
